擴散爐工作區間內(800到1000mm)一般需要±01℃(個別要求±0.5℃)。多數情況下只使用外溫控制,內溫只在數據測試(Profiling)和2-3周一次的矯正時使用。不同晶片及數量的要求內溫相對外溫設定值由profiling給出。使用內溫時,使用串級控制,內溫輸出作為外溫設定值使用。為防止電流過大,會加一些電流限定或限制值斜坡。外溫取2熱電偶之高值。一般800到1200度內擴散,一次約12-14小時。